IBM הודיעה על כוונתה להציע אחסון זיכרון על גבי מעבדים בשיטה חדשה שהחברה מאמינה כי תשפר ביצועים באופן דרמטי. בשנה הקרובה מתעתדת IBM להציע מעבדי 45 ננומטר, ובמקביל להשתמש ב-DRAM (כלומר RAM דינאמי) במקום SRAM (או RAM סטטי) במעבדיה, באופן אשר ישלש את כמות הזיכרון הניתנת לאחסון על גבי השבב.
המעבדים המודרניים מכילים זיכרון מטמון (cache) המשולב ישירות בשבב, בקרבה למנוע העיבוד, מה שמאפשר לשבב לאחסן מידע בו משתמשים לעיתים תכופות קרוב ל-CPU, שם הוא זמין באופן מהיר הרבה יותר ממידע השוכן ב-system memory.
במשך שנים, השתמשו יצרניות השבבים ב-SRAM על גבי המעבדים, אך ככל שהשבבים הולכים וקטנים, מתקשה ה-SRAM להתמודד, ובעיות של זליגת זרם הובילו למעבר לשימוש ב-DRAM, הדורש פחות טרנזיסטורים וסובל פחות מזליגה.
עם זאת, עד עכשיו לא הצליחה אף חברה להשתמש ב-DRAM בטכנולוגיית סיליקון-על-מבודד (silicon-on-insulator או SOI). חברת IBM השתמשה ב-SOI על-מנת להוריד זליגת זרם מטרנזיסטורים, והשתמשה ב-DRAM בחלק מהשבבים שהיא מציעה, אך לא הצליחה לשלב בין שתי הטכנולוגיות, עד עתה.
מעבדים הנבנים בטכנולוגיית ייצור 45 ננומטר של IBM יהיו המוצרים הראשונים המסוגלים לנצל את יתרונות ה-DRAM וה-SOI יחדיו, והם צפויים להופיע בשוק ב-2008. ב-IBM מאמינים כי יהיה ניתן לאחסן 24-48 מגה-ביט על גבי זיכרון מטמון במעבדים אלה, לעומת 8 המגה-ביט האפשריים כעת.
לפני כשבועיים דיווחנו לכם על
פיתרון ה-High-K שמציעות IBM ואינטל (כל אחת בנפרד), ויחד עם שיטת האחסון החדשה נראה כי העתיד יהיה מלא בפריצות דרך בתחום.
