חברת סמסונג מוסרת כי הצליחה ליצור שבב DRAM של ג'יגה-בייט בודד, על בסיס תהליך 80 ננומטר. השבב החדש מיועד למצלמות דיגיטאליות, נגני מדיה, ומחשבים וטלפונים ניידים. מדובר בשבב ה-DRAM הנייד הראשון בעל זיכרון ג'יגה-בייט בודד עבור מוצרים ניידים.
סמסונג כבר יצרה בעבר שבב של 512 מגה-בייט, והשבב החדש של האחד ג'יגה-בייט משתמש במערכת דומה, אך הוא דק ב-20%. בנוסף, צפוי השבב החדש לצרוך 30% פחות כוח מהשבבים הקיימים היום, וזאת בזכות יכולת חישת-טמפרטורה חדשה.
חברת סמסונג מאמינה כי השבב החדש יהיה אפקטיבי יותר מבחינת עלויות בהשוואה לשבבים אחרים. השבב אמור לשמש באוזניות של טלפונים ניידים ובמוצרים אלקטרוניים נוספים, כמו מצלמות דיגיטאליות, נגני מדיה ניידים ועוד.
השבב החדש מגיע לאחר מספר חידושים שהשיקה החברה הקוריאנית לאחרונה. ביניהם הטלפון הסלולארי הדק ביותר בעולם, SAMSUNG X820; טלפון סלולארי עם ג'ויסטיק אופטי; טלפון סלולארי עם מקלדת QWERTY מלאה, ה-SAMSUNG 320, ועוד.
סמסונג מתכוונת להתחיל בייצור המוני של השבב החדש לשוק ברבעון השני של 2007, במקביל לגידול בדרישה הצפויה לשבבים אלה.
